Воронежские ученые разработали уникальные наноматериалы для устройств хранения памяти

Новинка позволит обеспечить «сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще не используемом в серийных устройствах».

Воронежский государственный университет разработал инновационные материалы, которые позволят существенно повысить быстродействие при записи той или иной информации. Проект ученых назывался «Изготовление магнитных наноструктурированных материалов силицидов переходных металлов (Si-Me) с эффектом оптического перемагничивания для элементов памяти нового поколения. Новинка ориентирована на рынок наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти.

- Считается, что к 2020 году произойдет переход к новым элементам памяти на основе спинтронных устройств, так называемой MRAM – «Magnetic random access memory», что приведет к резкому изменению компьютерных устройств. Например, скорость доступа к такой памяти будет в тысячи раз больше, чем у нынешних элементов flash-памяти, а ресурс перезаписи – в сто тысяч раз больше. Поскольку в спинтронном устройстве для передачи информации используются магнитные свойства электронов, для их создания требуется разработка ферромагнитных полупроводников, свойствами которых можно управлять. В этой связи существующую проблему увеличения объема памяти, скорости функционирования элемента памяти микро- и наноэлектроники с одновременной миниатюризацией этих элементов в настоящее время связывают с необходимостью поиска новых материалов, методов записи/считывания информации, – прокомментировал ассистент проекта Геворг Григорян, который успешно представил разработку на ежегодном межвузовском конкурсе инновационных проектов «Кубок инноваций».

Фото пресс-службы Воронежского госуниверситета

Следует отметить, что разработанная продукция использует экологически чистую технологию на основе энергосберегающего оборудования. Производство этих материалов создаст в области наноиндустрии высокотехнологичный промышленный комплекс.

Илья Ершов